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| 半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量测量方法 |
| A Quantitative Method of AB Microscopic Defects in Semi-insulating GaAs Single Crystals |
| 投稿时间：1998-09-30 修订日期：1998-11-16 |
| DOI： |
| 中文关键词: 图象分析 微缺陷 砷化镓 单晶 |
| 英文关键词:image analysis microscopic defect GaAs single crystal |
| 基金项目: |
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| 中文摘要: |
| 报道了非掺杂半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷显微特征的研究结果,提出了一种自动定量测量微缺陷的方法,并在WD-5图象处理分析系统中实现了该算法。 |
| 英文摘要: |
| The microscopic characteristics of AB microdefects in LEC undoped semi-insulating GaAs single crystals have been studied. A new method for auto mesurement of microdefects is proposed and realized by WD-5 image processing and analysis system. |
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